RBS와 XRD를 이용하여 C o-Nb이중층 실리사이드와 구리 배선층간의 열적안정성에 관하여 조사하였다. Cu3Si등의 구리 실리사이드는 열처리시 400˚C정도에서 처음 형성되기 시작하였는데, 이 때 형성되는 구리 실리사이드는 기판의 상부에 존재하던 준안정한 CoSi의 분해시에 발생한 Si원자와의 반응에 의한 것이다. 한편, 600˚C에서의 열처리 후에는 CoSi2층을 확산.통과한 Cu원자와 기판 Si와의 반응에 의하여 CoSi2/Si계면에도 구리 실리사이드가 성장하였는데, 이렇게 구리 실리사이드가 CoSi2/Si 계면에 형성되는 것은 Cu원자의 확산속도가 여러 중간층에서 Si 원자의 확산속도 보다 더 빠르기 때문이다. 열처리 결과 최종적으로 얻어진 층구조는 CuNbO3/Cu3Si/Co-Nb합금층/Nb2O5CoSi2/Cu3Si/Si이었다. 여기서 상부에 형성된 CuNbO3는 Cu원자가 Nb2O5및 Co-Nb합금층과 반응하여 기지조직의 입계에 석출되어 형성된 것이다.

• 이종무 | Lee, Jong-Mu
• 권영재 | 권영재
• 김영욱 | 김영욱
• 이수천 | 이수천