Magnetron sputtering 법으로 제조된 Al-1%Cu/Tungsten Nitride 다층 박막

이기선; 김장현; 서수정; 김남철

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Magnetron sputtering 법으로 제조된 Al-1%Cu/Tungsten Nitride 다층 박막 KCI 등재 SCOPUS

Deposition process of Multi-layered Al-%Cu/Tungsten Nitride Thin Film

이기선, 김장현, 서수정, 김남철

언어KOR
URLhttps://db.koreascholar.com/Article/Detail/295751

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한국재료학회지 (Korean Journal of Materials Research)

제10권 제9호 (2000.09)
pp.624-628

한국재료학회 (Materials Research Society Of Korea)

초록

표면 탄성과 디바이스의 전극재료로 사용되는 Al-%Cu(4000Å)/tungsten nitride 박막을 magnetron sputtering 법으로 제조하고 전기저항을 평가한 비정질상의 tungsten nitride 박막을 제조할 수 있었고, 비정질 형성을 위해 질소비(R =N2/(Ar+N2)가 10~40% 정도 필요하다. Tungsten nitride 박막의 잔류응력은 비정질이 형성되면서 급격히 감소되었다. 이러한 비정질 박막위에 Al-1%Cu 합금막이 형성되었다. 다층막은 453K에서 4시간 동안 열처리함으로써 3.6μΩ-cm의 저항을 나타냈는데, 이는 박막내 결정립 성장과 결함의 감소에 기인하였다.

키워드

Conductor in SAW device sputtering tungsten nitride residual stree Al-Cu thin film

저자

이기선 | Lee, Gi-Seon
김장현 | 김장현
서수정 | 서수정
김남철 | 김남철

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