Recessed-gate 4H-SiC MESFET의 DC특성에 관한 연구 - koreascholar

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Recessed-gate 4H-SiC MESFET의 DC특성에 관한 연구 KCI 등재 SCOPUS

Study on DC Characteristics of 4H-SiC Recessed-Gate MESFETs

박승욱, 황웅준, 신무환

언어KOR
URLhttps://db.koreascholar.com/Article/Detail/296112

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한국재료학회지 (Korean Journal of Materials Research)

제13권 제1호 (2003.01)
pp.11-17

한국재료학회 (Materials Research Society Of Korea)

키워드

Wide band-gap semiconductors SiC Schottky contact MESFET I-V Characteristics Modeling

저자

박승욱 | Park, Seung-Wook
황웅준 | 황웅준
신무환 | 신무환

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