Copper electroplating and electrode patterning using a screen printer are applied instead of lithography for heterostructure with intrinsic thin layer(HIT) silicon solar cells. Samples are patterned on an indium tin oxide(ITO) layer using polymer resist printing. After polymer resist patterning, a Ni seed layer is deposited by sputtering. A Cu electrode is electroplated in a Cu bath consisting of Cu2SO4 and H2SO4 at a current density of 10 mA/cm2. Copper electroplating electrodes using a screen printer are successfully implemented to a line width of about 80 μm. The contact resistance of the copper electrode is 0.89 mΩ·cm2, measured using the transmission line method(TLM), and the sheet resistance of the copper electrode and ITO are 1 Ω/□ and 40 Ω/□, respectively. In this paper, a screen printer is used to form a solar cell electrode pattern, and a copper electrode is formed by electroplating instead of using a silver electrode to fabricate an efficient solar cell electrode at low cost.

스크린 인쇄 방식을 통해 ZnS기반의 AC 분산형 EL 소자를 제작하였다. 유전체층 재료로 BaTiO3를 사용하였다. 소자의 경우는 쉽게 변수를 조정할 수 있는 수동 스크린 인쇄 방식을 사용하여 최적의 조건으로 제작하였다. TiO2는 내산성, 내알칼리성이 좋아 인체에 무해하기 때문에 광촉매제로 많이사용되고 있다. 기판은 투명전극인 ITO glass와 유연한 ITO PET film의 두가지 방식으로 제작하였다. 본연구에서는 형광체층에 TiO2의 첨가량을 변화시킨 EL소자를 SEM과 XRD를 통하여 구조를 분석하고, 발광 스펙트럼을 통하여 분석하였다. 그리고 TiO2의 첨가량이 증가할수록, 발광효율이 증가하는 것을 알 수 있었다.

스크린 인쇄 방식을 통해 Cu,Al 형광체와 BaTiO3를 혼합한 층의 무기 전계 발광소자를 제작하였다. 혼합층의 두깨는 60㎛로 제작하였다. 형광층의 비율이 유전층보다 높아질수록 발광효율은 증가하였으나. 안정성을 떨어졌다. 가장 높은 효율을 보인 비율은 형광층 3: 유전층 1의 비율이었다.

Thermoelectric-thick films were fabricated by using a screen printing process of n and p-type bismuth-telluride-based pastes. The screen-printed thick films have approximately 30 in thickness and show rough surfaces yielding an empty gap between an electrode and the thick film. The gap might result in an increase of an electrical resistivity of the fabricated thick-film-type thermoelectric module. In this study, we suggest a conductive metal coating onto the surfaces of the screen-printed paste in order to reduce the contact resistance in the module. As a result, the electrical resistivity of the thermoelectric module having a gold coating layer was significantly reduced up to 30% compared to that of a module without any metal coating. This result indicates that an introduction of conductive metal layers is effective to decrease the contact resistivity of a thick-film-typed thermoelectric module processed by screen printing.

A new display device is required, which has concepts of flatness and slimness. FED can be one of the solutions. When we use flat panel, we can save the raw material and reduce the production time by eliminating the printing process, drying process, and wa

A new display device development using CRT and CDT technology is required, which has concepts of flatness and slimness. Screen printing technology can be one of the solutions. In this case, good panel flatness is the precondition. Therefor, we did process capability analysis of panel flatness and regression analysis between panel flatness and BM(black matrix) position by experiments.

63Sn-37Pb에 Cu6Sn5를 분산시킨 760μm크기의 솔더범프를 Au(0.5μm)/Ni(5μm)/Cu(27±20μm) BGA 기판에 스크린)/Ni(5im)/Cu(27:201m) B3GA 기판에 스크린 프린팅법으로 제조하여, 리플로우 피크온도 유지시간, 150˚C 시효처리 시간에 따른 전단강도를 분석하였다. Cu6Sn5를 첨가한 솔더범프는 피크온도에서 30초간 유지시에는 63Sn-37Pb 솔더범프보다 높은 전단강도를 나타내었으나, 피크온도 유지시간을 60초 이상으로 증가시킴에 따라 전단강도가 63Sn-37Pb 솔더범프보다 저하하였다. 전단시험 후 솔더범프의 파단면은 초기에 전단 균열의 점진적인 전파에 의해 발생된 파괴부위와 점진적 균열전파에 의한 면적 감소로 솔더범프가 급격히 떨어져 나가면서 발생한 파괴부위로 구분할 수 있었다 피크온도 유지시간, 150˚C 시효처리 시간 및 Cu6Sn5 첨가량에 무관하게 점진적 파괴모드에 의한 균열 전파길이가 증가할수록 솔더범프의 전단강도가 감소하였다.감소하였다.

많은 선행 연구에서는 무연 차폐재를 제작하기 위하여 몬테카를로 시뮬레이션을 통해 방사선 차폐 능력과 경량화에 대한 가능성을 제시하고 있다. 하지만, 이는 바인더 및 미세 기공에 대한 구현이 어렵기에 제품화 공정에 필요한 정보를 충분히 제공하지 못하는 실정이다. 이에 본 연구에서는 제품화 공정에 요구되는 겔 페이스트에 대한 정보를 사전에 제공하기 위하여 스크린 프린팅 공법을 활용하여 충전율에 따른 방사선 차폐 능력에 대한 결과를 제시하였다. 본 연구에서는 방사선 차폐 능력을 평가하기 위해 IEC 61331-1: 2014와 KS A 4025에 부합하도록 실험 환경을 설계하였으며, 방사선 조사 조건은 KS A 4021 규격을 준용하여 총 여과 2.0 mmAl로 여과된 100 kVp를 이용하였다. 본 연구 결과, TVL를 기준으로 Pb 1270 μm, BaSO4 3035 μm, Bi2O3 1849 μm, WO3 2631 μm에서 근사한 값으로 분석되었다. 또한, 충전율은 BaSO4 38.6%, Bi2O3 27.1%, WO3 30.15%로 분석되었다. 하지만, 차후 저온고압 성형을 적용한다면 충전율을 높이면서도 기공률을 낮춤으로서 방사선 차폐 능력의 개선이 충분히 가능할 것으로 기대된다.

진단방사선 분야에서는 진단 최적화를 위하여 자동노출제어장치의 활용이 국제적으로 권고되고 있다. 하지만, 기존의 상용화된 광도전체 센서는 제작 공정의 복잡하고 장시간 방사선에 노출될 경우 다양한 성능 저하가 발생하는 문제점이 있다. 이에 본 연구에서는 X-ray 흡수율이 높으면서도 제작이 용이한 장점을 가진 광도전체 기반 센서의 AEC 적용 가능성을 평가하고자 한다. 실험결과, SNR 증가를 통하여 우수한 검출 효율을 가지는 센서의 제작가능성을 확인하였고, 정확한 턴-오프가 가능할 것으로 사료된다. 또한 잠상 영상 및 투과율 실험 결과, 광도전체에 의한 Ghost effect가 나타나지 않음을 확인하였으며, PbO를 제외한 광도전체의 경우 80% - 90%의 우수한 투과율을 확인하였다. 그러므로 상용화된 기존 상품에 대비하여 도핑농도 변화에 따른 성능 저하 및 기계적 안정성이 뛰어나며 제작이 용이한 광도전체 기반의 센서는 AEC 센서로 적용이 가능할 것으로 기대된다.