Ultrafine Au-Pb particles prepared by two method, (1) simultaneous evaporation of Au and Pb in inert gas and (2) subsequent vapor condensation of Pb in a differentially evacuated tube onto flying Au nanoparticles prepared by gasevaporation technique, were observed by electron microscopy. In the method (1), the particles that grew at the region where the two smoke masses converged, consisted of alloy phases. In the method (2), the particles consisted of two or three phases of Au, , and Pb phases in turn from the inner part, Pb-rich particles being composed of only two phases of and Pb.

We present images of L1551 IRS5 at angular resolutions as high as ~30 mas, corresponding to a spatial resolution of ~5 AU, made at 7 mm with the VLA. Previously known to be a binary protostellar system, we show that L1551 IRS5 is likely a triple protostellar system. The primary and secondary components have a projected separation of ~46 AU, whereas the tertiary component has a projected separation of ~11 AU from the primary component. The circumstellar dust disks of the primary and secondary components have dimensions of ~15 AU, whereas that of the tertiary component has a dimension of ~10 AU. Their major axes are closely, but not perfectly, aligned with each other, as well as the major axis of the surrounding flattened, rotating, and contracting molecular condensation (pseudodisk). Furthermore, the orbital motion of the primary and secondary components is in the same direction as the rotational motion of this pseudodisk. We suggest that all three protostellar components formed as a result of the fragmentation of the central region of the molecular pseudo disk. The primary and secondary components, but apparently not the tertiary component, each exhibits a bipolar ionized jet that is centered on and which emergers perpendicular to its associated dust disk. Neither jets are resolved along their base, implying that they are driven within a radial distance of ~2.5 AU from their central protostars. Finally, we show evidence for what may be dusty matter streams feeding the two main protostellar components.

Various attempts have been made to explain the: pronounced seasonal and universal time (UT) variations of geomagnetic indices. As one of such attempts, we analyze the hourly-averaged auroral electroject indices obtained during the past 20 years. The AU and AL indices maximize during summer and equinoctial months, respectively. By normalizing the contribution of the solar conductivity enhancement to the AU index, or to the eastward electrojet, it is found that the AU also follows the same semiannual variation pattern of the AL index, suggesting that the electric field is the main modulator of the semiannual magnetic variation. The fact that the variation pattern of the yearly-mean AU index follows the mirror image of the AL index provides another indication that the electric field is the main modulator of magnetic disturbance. The pronounced UT variations of the auroral electrojet indices are also noted. To determine the magnetic activity dependence, the probability of recording a given activity level of AU and AL during each UT is examined. The UT variation of the AL index, thus obtained, shows a maximum at around 1200-1800 UT and a minimum around 0000-0800 UT particularly during winter. It is closely associated with the rotation of the geomagnetic pole around the rotational axis, which results in the change of the solar-originated ionospheric conductivity distribution over the polar region. On the other hand the UT variation is prominent during disturbed periods, indicating that the latitudinal mismatch between the AE stations and the auroral electrojet belt is responsible for it. Although not as prominent as the AL index, the probability distribution of the AU also shows two UT peaks. We confirm that the Dst index shows more prominent seasonal variation than the AE indices. However, the UT variation of the Dst index is only noticeable during the main phase of a magnetic storm. It is a combined result of the uneven distribution of the Dst stations and frequent developments of the partial ring current and substorm wedge current preferentially during the main phase.

전자산업 폐기물의 산침출 용액으로부터 전해채취법에 의해 Au와 Pd를 선택적으로 회수하기 위하여, 염산수용액 중에서 Au와 Pd의 전기화학적 거동을 voltammetry방법에 의해 조사하였다. Au단독 전해욕에서 Au의 환원전위는 약 800mV이었고 환원한계전류는 약 470mV에서 나타났으며, Pd 단독 전해욕에서 Pd의 환원전위는 약 500mV이었고 환원한계전류는 약 150mV에서 나타났다. 그러나, Au-Pd혼합 전해용액에서, Au의 환원전위 및 환원한계전위 값은 전해욕 중 Pd의 농도가 증가함에 따라 감소하였고, Au와 Pd의 환원한계전위 값은 Au-Pd 전해욕 중 Pd 전해용액의 함유량이 30vo1%일 때 가장 가까운 값을 나타내었다

baking 전후의 금선의 접합강도 변화를 연구하였다. 금선을 이용하여 Si 칩의 AI 패드와 은도금된 리드프레임 사이를 thermosonic 방법으로 본딩하였다. 본딩된 금선을 175˚C에서 시간을 변화시키면서 baking 처리하였다. 접합강도는 와이어 풀 테스트, 볼 전단 테스트, stud 풀 테스트로 평가하였다. 와이어 풀 접합강도는 baking 처리를 거쳐도 크게 변화하지 않았지만 파괴 유형이 baking 전에는 볼목 파괴에서 baking 후 스티치 파괴로 바뀌었다. 본딩과 baking 중 금선의 결정립이 크게 성장하였는데 이런 결정립 크기 변화와 금선 접합 부위의 기하학적인 모양에 따라 파괴 유형이 바뀌었다.

Si(100)기판상에 여러 가지 두께의 Au박막을 선행 증착(pre-deposition)한 후, 각각의 Au박막상에서의 Cu-MOCVD박막의 초기 핵생성과 성장 기구를 고찰하였고, 또한 각 계면에서의 상호 확산 거동을 여러가지의 분석 장비를 이용하여 조사하였다. 30Å두께의 Au 박막은 수소 가스 분위기중의 열처리에 의하여 평탄한 표면 상태에서 불연속의 응집된 도상(island)형태로 변화(Si 전체 표면중 약 20%)하였다. 반면에 1500Å두께의 Au박막상에서 성장한 Cu-MOCVD박막은 두께 증가에 따른 미세구조의 차이, 즉 Cu박막중으로 Au원자의 확산여부는 Au박막에 유기되는 열응력(thermal stress)을 완화하는 과정에서 일어난 결과이다.

Flip chip bonding에 무전해도금기술을 적용하여 solder bumper형성의 최적 조건을 규명하였다. 시편은 AI 패턴된 4 inch Si 웨이퍼를 사용하고, 활성화 처리시 zincate 용액을 사용하였으며, 무전해 도금은 Ni-P 도금액고 Au immersion 용액을 사용하였다. 활성화 물질의 AI 침식정도 및 Zn 석출 정도를 알아보기 위하여 EDS측정을 하였고, 각 공전에서의 표면형상을 알아보기 위해 SEM 분석을 하였다. 열처리 후 금도금층의 주 결정성장 방향은 XRD를 이용하여 측정하였다. 산처리에서 질산과 황산 중 질산에 의한 산화막제거 정도가 더 우수하게 나타났다. 활성화 처리시 zincate 용액을 희석시킬수록 입자 크기가 미세해 지고, 활성화 물질은 pH 13-13.5, 상온, 농도 15-25%의조건에서 크기가 작은 Zn 활성화 물질이 균일하게 분포하였다. Ni과 Auan전해도금 속도는 온도와 pH가 증가할수록 증가하였다. Ni 무전해 도금 조건은 pH 4.5, 온도 90˚C, 시간 20분이며, Au 무전해 도금조건은 pH7, 온도 80˚C, 시간 10분이었다. 상온에서 400˚C까지 30분동안 열처리 한 후 금도금막의 결정 방향은 pH 7, 온도 80˚C, 시간 10분이었다. 상온에서 400˚C까지 30분 동안 열처리 한 후 금도금막의 결정 방향은 pH 7에서 (111), pH 9에서는 (200)과 (111)이 주 peak로 나타났으며, 열처리에 의한 결정 방향의 변화는 없었다. 전체 공정에서 최종적인 표면 형상에 영향을 주는 단계는 활성화 처리로서 flip chip의 bonding layer형성에 가장 중요한 요소임을 알 수 있었다.

Microwave용 GaAs MESFET 소자에 적용가능한 Schottky 접합구조로서 Au/Nb/WNx(Si) 다층박막의 특성을 평가하였다. WNx 증착시 co-sputtering에 의하여 첨가된 실리콘은 열처리 과정 동안 GaAs/Schottky 계면으로 확산되며 이 과정은 sputtering damage의 회복이 활성화되는 700˚C이상에서 활발해진다. 계면으로 축적된 실리콘은 Ga와 As의 유효한 확산 경로를 차단함으로서 Ga의 확산으로 인한 GsAs 내의 carrier 농도 증가를 최소화 할 수 있어서 WNx와 같은 Schottky 접합재료의 열적 안정특성의 향상을 기대할 수 있다. Au/Nb의 층을 적층시 Nb는 탈탈륨 등의 고융점 금속과 같이 sacrificial 형태의 확산방지막으로 작용하여 열적으로 안정하며 microwave용 소자에서 요구되는 낮은 비저항치(-10-5Ω-cm)를 유지할 수 있다.

아황산금나트륨염을 이용하여 형성된 약 20μm 금도금층의 표면형상 및 우선적 결정 성장 방향에 대하여 전류밀도, 온도, 농도, pH, 교만속도, 금이온농도가 미치는 영향에 대하여 연구하였다. 표면형상은 cathode 근처의 금이온농도가 증가하는 조건[전류밀도(13.0mA/cm22→4.6mA/cm2)], 온도 (30˚C→60˚C), pH(12.0→9.0), 교반효과(Orpm→3200rpm), 금이온농도(10g /1→l4g/1)으로 갈수록 porous한 조직에서 미세한 조직으로의 변화가 관찰되었다. X선분석에 의하면 금도금층의 결정성장의 주방향은 표면형상과 밀접한 관계를 나타내었으며 표면형상이 미세화되는 조건인 전류밀도(13.0→14.6mA/cm2), pH(12.0→9.0)는 감소 할수록, 온도(30˚C→60˚C), 교반속도(0rPm→3200rpm), 금이온농도(10g/1→g/1)]는 증가 할수록 결정성장의 주회절피크는 (111)에서 (220)으로 그 성장면이 변하고 있음이 조사되었다.

Si(111)표면위에 Au의 증착량과 기판온도에 따른 표면구조의 변화를 RHEED(Reflection High Energy Electron Diffraction)상(pattern)과 RHEED상의 회절반점(spot)강도변화를 이용하여 조사하였다. Si(111) 7×7구조를 Au 를 0.1ML-0.4ML증착후에 기판을 350˚C-750˚C로 수초간 가열하면 7×7구조에서 7×7 + 5×2의 혼합 구조로 변화하였으며 증착량 0.4ML-1.0ML에서는 RHEED상이 기판온도와 증착량에 따라 5×2,α- √3 × √3,β- √3 × √3의 구조들이 관찰되었다. 6×6구조는 기판온도 270˚C-370˚C에서 증착량 0.8ML에서부터 형성되기 시작하여 1ML에서 완성되었다. AES(Auger Electron Spectroscopy)를 이용한 α- √3 × √3,5 × 2구조에서의 Au원자의 이탈과정 조사에서 이탈 에너지는 각각 79kcal/mol, 82kcal/mol로 조사되었다.