Cu(In,Ga)Se2(CIGS) photovoltaic thin films were electrodeposited on Mo/glass substrates with an aqueous solution containing 2 mM CuCl2, 8 mM InCl3, 20 mM GaCl3 and 8mM H2SeO3 at the electrodeposition potential of -0.6 to -1.0 V(SCE) and pH of 1.8. The best chemical composition of Cu1.05In0.8Ga0.13Se2 was found to be achieved at -0.7 V(SCE). The precursor Cu-In-Ga-Se films were annealed for crystallization to chalcopyrite structure at temperatures of 100-500˚C under Ar gas atmosphere. The chemical compositions, microstructures, surface morphologies, and crystallographic structures of the annealed films were analyzed by EPMA, FE-SEM, AFM, and XRD, respectively. The precursor Cu-In-Ga-Se grains were grown sparsely on the Mo-back contact and also had very rough surfaces. However, after annealing treatment beginning at 200˚C, the empty spaces between grains were removed and the grains showed well developed columnar shapes with smooth surfaces. The precursor Cu-In-Ga-Se films were also annealed at the temperature of 500˚C for 60 min under Se gas atmosphere to suppress the Se volatilization. The Se amount on the CIGS film after selenization annealing increased above the Se amount of the electrodeposited state and the MoSe2 phase occurred, resulting from the diffusion of Se through the CIGS film and interaction with Mo back electrode. However, the selenization-annealed films showed higher crystallinity values than did the films annealed under Ar atmosphere with a chemical composition closer to that of the electrodeposited state.

본 실험은 하천과 벽사면의 녹화에 이용되는 벼과 식물 중 적수크령을 대상으로 채종시기와 식물생장 조절물질인 GA3 처리가 발아율 향상에 미치는 영향을 조사하여 적정 채종시기와 GA3 농도 및 침지시간 을 구명하고자 수행되었다. 채종 기간은 2008년 10월 2일부터 동년 11월 25일까지 2주 간격으로 5회 채종하였다. 채종된 종자의 저장 및 관리는 수확 후 채종된 순서대로 5±1℃의 항온기에 밀폐하여 보관 하였다. 저장된 종자의 후숙은 41±3℃ (R.H.=70%) 항온기에서 96시간 처리하였다. 수크령 종자의 발 아율, 평균발아일수 및 GA3 처리에 따른 결과는 침지시간에 따른 효과가 나타났고 채종시기는 10월 중 순에서 11월 중순경에 채종되는 수크령 종자가 발아율에 더 효과적이라 판단되었으며, 본 실험을 통해 수크령 종자의 발아성을 향상은 물론 녹화용에 이용되는 수크령의 원예적 이용가치를 높이는데 도움이 될 것으로 보여진다.

본 연구는 직삽 양액재배에 의한 ‘신마’품종의 절화품 질 향상시키고자 양액 pH조정 비료종류와 모수포 관리 및 지베렐린처리 효과를 알아보기 위해 실시하였다. 모 수포 관리에 따른 절화장은 무처리(관행) 103 cm에 비해 모수포관리(온도,일장) 처리가 114 cm로 가장 컸고, 꽃 잎수도 무처리(관행) 259개/송이에 비해 모수포관리(온도, 일장) 처리가 298개로 가장 많았고, 절화중은 모수포관리 (온도,일장) 처리가 102g/본 가장 무겁게 나타났다. 엽록 소(SPAD-value)는 영양관리(몰비아 500배)처리가 57.2로 가장 높게 나타났다. 지베렐린처리 농도와 살포시기에 따른 절화장은 무처리(관행) 103 cm에 비해 지베렐린 1,000배 개화 60일전 처리가 121 cm로 가장 컸고, 꽃잎수 도 무처리(관행) 259개/송이에 비해 지베렐린 500배로 개화60일전 처리가 308개로 가장 많았고, 절화중 2,000배 개화60일전 처리가 110.7 g/본 가장 무겁게 나타 났다. 하지만 꽃목길이는 관행(무처리) 3.5 cm에 비해 500배 개화45일전 처리 10.4 cm와 1,000배 개화45일전 처리가 9.7 cm로 도장하는 경향이었다.

The selenization process has been a promising method for low-cost and large-scale production of high quality CIGS film. However, there is the problem that most Ga in the CIGS film segregates near the Mo back contact. So the solar cell behaves like a CuInSe2 and lacks the increased open-circuit voltage. In this study we investigated the Ga distribution in CIGS films by using the Ga2Se3 layer. The Ga2Se3 layer was applied on the Cu-In-Ga metal layer to increase Ga content at the surface of CIGS films and to restrict Ga diffusion to the CIGS/Mo interface with Ga and Se bonding. The layer made by thermal evaporation was showed to an amorphous Ga2Se3 layer in the result of AES depth profile, XPS and XRD measurement. As the thickness of Ga2Se3 layer increased, a small-grained CIGS film was developed and phase seperation was showed using SEM and XRD respectively. Ga distributions in CIGS films were investigated by means of AES depth profile. As a result, the [Ga]/[In+Ga] ratio was 0.2 at the surface and 0.5 near the CIGS/Mo interface when the Ga2Se3 thickness was 220 nm, suggesting that the Ga2Se3 layer on the top of metal layer is one of the possible methods for Ga redistribution and open circuit voltage increase.

Transparent conducting oxide (TCO) films are widely used for optoelectronic applications. Among TCO materials,zinc oxide (ZnO) has been studied extensively for its high optical transmission and electrical conduction. In this study, the effectsof O2 plasma pretreatment on the properties of Ga-doped ZnO films (GZO) on polyethylene naphthalate (PEN) substrate werestudied. The O2 plasma pretreatment process was used instead of conventional oxide buffer layers. The O2 plasma treatmentprocess has several merits compared with the oxide buffer layer treatment, especially on a mass production scale. In this process,an additional sputtering system for oxide composition is not needed and the plasma treatment process is easily adopted as anin-line process. GZO films were fabricated by RF magnetron sputtering process. To improve surface energy and adhesionbetween the PEN substrate and the GZO film, the O2 plasma pre-treatment process was used prior to GZO sputtering. As theRF power and the treatment time increased, the contact angle decreased and the RMS surface roughness increased significantly.It is believed that the surface energy and adhesive force of the polymer surfaces increased with the O2 plasma treatment andthat the crystallinity and grain size of the GZO films increased. When the RF power was 100W and the treatment time was120 sec in the O2 plasma pretreatment process, the resistivity of the GZO films on the PEN substrate was 1.05×10-3Ω-cm,which is an appropriate range for most optoelectronic applications.

关于对中国文学的研究，其领域已不只限于中国大陆，还波及到香港、台湾、东南亚及北美地区。本论文要研究的是杨逸的作品《浸着时光的早晨》，这部作品于2008年在日本出版，是以日语为创作方式的，同一年被授予芥川赏。杨逸并非土生土长于日本，而是在中国接受完中等教育以后才去的日本。赴日后才学习日语的杨逸，虽然其以日语进行文学创作，但在其作品中仍然渗透着中国式的传统、情绪和文化。到目前为止，杨逸的一生一半生活在自己的故乡-中国，另一半生活在他国日本，所以，更能从客观的角度来观看中国，并且在陌生的地方开始思考自己的身份认同问题。这一点在她的作品中被原封不动地显现了出来，尤其是，其作品是以在中国处理困难的历史性事件为中心进行叙述的。本论文就从如何接近多少带有敏感性的中国历史、居住于海外的中国人身份认同问题以及中国作家以日语进行创作的文学作品对现今的中国文学起何种影响等方面进行探讨，以求对文学超脱特定区域文学领域的限制、确立新的文学范畴领域有所帮助，同时，这样的研究又和中国文学的范畴区分和连关性有关联，这不仅和前面提到的中国文学的范畴问题相衔接，也为审查21世纪中国文学提供了机会。

Recently expanding market for largely scale construction projects, cost management of construction project have been increasingly recognized as an important factor responsible for the project success. But public organizations have been continuously operating the same methods as before in cost estimating, so it raise an issue of reliability for estimated cost. Therefore, this study present a highly reliable model that makes preliminary estimates based quantity data in early design stage. it enables engineers to efficiently manage total cost of project as well as partial cost estimating. This study develop a model of database that is created with historical data conducted by government offices. The model proposed can estirnate a cost for RC Structure in schematic design stage, and it is applied to CBR+GA logics to explore best similar cases. In case of estimating methods used to previous research, it is based on actual cost data. Due to the cost estimating compensated by inflation rate vary in market economic conditions, it will follow as an inevitable consequence of reliability problem. It needs to find better way to ensure accuracy through quantity database. Also, This study has been conducted in attempts to verify the reliability of preliminary estirnation. It is checked for the feasibility of presented model with P-National Tax Service Project aside from the database.

본 연구는 스타티스 ‘Ocean Blue’와 ‘Fantasia’의 하계 및 동계재배에서 저온 및 GA3 처리가 스타티스의 개화와 절화수량에 미치는 영향을 알아보았다. 7주간 육 묘한 스타티스를 하계 및 동계재배에서 4주간 저온처리 (3oC), 400mg·L−1 GA3 처리, 그리고 2주일간의 저온처리 와 200mg·L−1 GA3의 혼합처리는 동계재배에만 적용하 였다. 하계재배에서는 ‘Ocean Blue’와 ‘Fantasia’ 모두 저 온처리에 의해 각각 16%, 53%의 절화수량이 증가하 였고, 특히 ‘Ocean Blue’는 대조구와 비교했을 때 추 대와 개화가 촉진되었다. 동계재배에서도 두 품종 모두 저온처리에서 무처리에 비해 생육량이 많았고, ‘Fantasia’ 의 분지수와 엽수는 월등히 많았다. ‘Fantasia’의 저온 처리에서 절화수확량이 대조구에 비해 약 35%가 증가 하였고, 추대와 개화가 각각 20일과 10일정도 촉진되 었다. 저온과 GA3 혼용처리 시 추대는 품종들 사이에 큰 차이가 없없지만, ‘Fantasia’에서 개화가 촉진되고, 대조구와 비교했을 때 좋은 품질의 절화를 생산하였다.

HDDR treated anisotropic Nd-Fe-B powders have been widely used for the sheet motors and the sunroof motors of hybrid or electric vehicles, due to their excellent magnetic properties. Microstructural alignment of HDDR treated powders are mostly depending on the hydrogen reaction in disproportionation step, so the specific method to control hydrogenation reaction is required for improving magnetic properties. In disproportionation step, hydrogenation pressure and reaction time were controlled in the range of 0.15~1.0 atm for 15~180 min in order to control the micorstructural alignment of phase and, at the same time, to improve remanence of HDDR treated magnet powders. In this study, we could obtain a well aligned anisotropic Nd-Fe-B-Ga-Nb alloy powder having high remanence of 12 kG by reducing hydrogen pressure down to 0.3 atm in disproportionation step.

The enzyme invertase contributes to sugar unloading, pathogen defense, differentiation and development in plants. We cloned the complete cDNA of a soluble acid invertase from pea seedlings (Pisum sativum) via RT-PCR and the rapid amplification of the cDNA

In high-efficiency Cu(In,Ga)Se2 solar cells, Na is doped into a Cu(In,Ga)Se2 light-absorbing layer from sodalime-glass substrate through Mo back-contact layer, resulting in an increase of device performance. However, this supply of sodium is limited when the process temperature is too low or when a substrate does not supply Na. This limitation can be overcome by supplying Na through external doping. For Na doping, an NaF interlayer was deposited on Mo/glass substrate. A Cu(In,Ga)Se2 absorber layer was deposited on the NaF interlayer by a three-stage co-evaporation process As the thickness of NaF interlayer increased, smaller grain sizes were obtained. The resistivity of the NaF-doped CIGS film was of the order of 103Ω·cm indicating that doping was not very effective. However, highest conversion efficiency of 14.2% was obtained when the NaF thickness was 25 nm, suggesting that Na doping using an NaF interlayer is one of the possible methods for external doping.

HDDR treated anisotropic Nd-Fe-B powders have been widely used, due to their excellent magnetic properties, especially for sheet motors and sunroof motors of hybrid and electric vehicles. Final microstructure and coercivity of such Nd-Fe-B powders depend on the state of starting mother alloys, so additional homogenization treatment is required for improving magnetic properties of them. In this study, a homogenization treatment was performed at in order to control the grain size and Nd-rich phase distribution, and at the same time to improve coercivity of the HDDR treated magnetic powders. FE-SEM was used for observing grain size of the HDDR treated powder and EPMA was employed to observe distribution of Nd-rich phase. Magnetic properties were analyzed with a vibrating sample magnetometer.

본 연구는 스타티스 평난지 재배에서 생육불량, 수량감소, 출하기 조절 등의 문제점을 해결하기 위해 GA3 처리기술을 개발하고, 이들의 처리가 개화와 절화수량에 미치는 영향을 검토하였다. GA3 처리 농도별 효과는 하계재배(0, 100, 200, 400, 800mg.L-1)와 촉성재배(0, 100, 200, 400mg.L-1) 나누었고, 처리시기별 효과는 정식(0, 10, 20, 30, 40, 50일 후) 후와 육묘기간(3, 5, 7, 9주)으로 나누어 스타티스의 개화와 절화수량에 미치는 영향을 알아보았다. 그 결과 스타티스는 재배시기에 관계없이 GA3 처리에 의해 개화가 촉진되었다. 하계재배에서는 200~400mg L-1 농도에서 절화품질 및 절화수량이 증가하는 효과가 있었으며, 겨울철의 촉성재배에서는 400mg L-1 농도에서 효과가 좋았다. 처리시기에 따른 정식 10일 후 GA3 처리가 개화촉진에 효과적이었으나, 절화의 품질을 고려한다면 정식 20일경에 GA3 처리를 하는 것이 가장 적당할 것으로 생각된다. 육묘기간을 달리하여 GA3 처리시 개화촉진에는 효과가 없었으나 육묘기간이 긴 9주 육묘구에서 절화품질이 좋았고 절화수량도 많았다. 이상의 결과를 종합하면 종간잡종 스타티스는 9주간 육묘한 스타티스를 정식 20일경에 재배시기와 관계없이 400mg L-1 정도 처리했을 때 개화촉진과 절화수량 증진에 가장 효과적이었다.

정몽주는 고려 말 기울어져가는 國運을 되살리기 위해 暗中摸索하면서 싸웠던 萬古의 忠臣이다. 그는 李成桂의 易姓革命은 목숨을 걸고 반대했지만 동아시아의 격변기에 親元排明정책을 반대했고 旭日昇天하는 기세로 떠오르는 명나라와의 親和적 外交를 통해 國運을 되살리고자 했다. 목숨을 건 千辛萬苦의 사행 길에서 그는 客苦와 鄕愁를 한시로 달랬는데 이는 정몽주의 인간적인 모습을 보여 주는 동시에 한국 使行文學의 白眉로 된다. 동아시아의 강대국 속에 끼어있는 한국(조선)의 대외정책에 있어서 名分과 實利의 모순을 균형감 있게 처리하는 것은 국가 存在와 發展을 이루는 중요한 과제로 된다. 時代와 歷史의 發展推移를 통찰하고 끝없이 苦惱하고 思考하면서 민족과 국가의 운명을 타개하기 위해 노력한 고려의 충신 정몽주, 그는 오늘을 살고 있는 한국인의 거울이 된다.

준고냉지 안개초 가을~초겨울 절화 작형에서 장일 (일장연장, 광중단) 단독처리 및 GA3 병행처리가 생장 및 개화에 미치는 영향을 조사하였다. 뿌리활력과 광합 성속도는 장일처리로 높아졌고, GA3 병행처리로 더 증 가되었다. 광중단 처리에서 출뢰가 무처리보다 11일 촉 진되었으며, 출뢰한 분지수가 주당 4.9개로 가장 많았 고 로제트 발생률도 무처리에 비해 50% 억제되어 절 화량이 증가하였다. 한편 장일과 GA3 병행처리가 로제 트 발생 억제에 상승적으로 작용하지는 못했다.

본 연구에서는 숙근성 자생식물 5종을 대상으로 생 장과 개화에 미치는 GA3와 저온의 효과에 대해 검토 하였다. 자란, 설앵초, 분홍할미꽃은 GA3나 저온처리에 관계없이 100% 맹아 되었다. 맹아율은 복수초와 노루 귀에서 휴면타파 전의 저온처리 기간이 짧을 때에만 GA3에 의해 향상되었다. 맹아와 개화소요일수는 5종 모두 GA3 처리에 의해 또 저온처리 기간이 길수록 짧 아졌다. 초장은 GA3 처리에 의해 신장되었으나 저온 처리 기간과는 무관한 경향이었다. 개화율은 GA3 처리에 의해 복수초와 노루귀에서 향상되었으나 자란과 분 홍할미꽃에서는 오히려 억제되었다. 개화율은 저온처리 전에 비해 저온처리 2주후에는 모든 종에서 높아졌다. 복수초는 저온처리 2주째에 가장 높았으며, 자란과 분 홍할미꽃은 저온처리 기간이 길수록 향상되었다. 꽃수 는 복수초와 설앵초에서 GA3에 의해 증가되었을 뿐, 저온처리 기간에 따라서는 큰 차이가 없었다. 개화기간 은 GA3에 의해 연장되지 않았으나, 저온처리에 의해 서는 노루귀를 제외한 모든 종에서 저온처리 기간이 길수록 연장되었다.

준고냉지 안개초 가을 절화 재배에서 GA3와 BA 엽면살포가 생장 및 로젯트 발생에 미치는 영향을 조 사하였다. GA3 처리농도가 높을수록, 그리고 1회보다 2회 처리에서 출뢰가 촉진되었고, 화경장, 경경 및 측 지수가 증가하였다. 100mg·L-1 2회 처리에서 로젯트 발생이 77% 억제되었고, 비정상 생육과 도복률이 낮 았으며, 절화량도 2,657속/10a로 많았다. 단일조건에서 의 BA 엽면살포는 잎 분화를 증가시켰고, 비원추화서 와 로젯트가 증가하여 무처리에 비해 출뢰율을 감소시켰다.