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HI-H2O 기상 혼합물에서 Silica 막의 안정성 KCI 등재
Stability of a Silica Membrane in the HI-H2O Gaseous Mixture
- 언어ENG
- URLhttps://db.koreascholar.com/Article/Detail/244462
열화학적 IS 공정에서 요오드화수소의 분해에 적용하기 위하여 화학증착법(CVD)으로 제조된 silica 막의 안정성을 HI-H_2O 기상 혼합물에서 평가하였다. Si 원천으로 tetraethoxysilane을 사용하여 서로 다른 CVD 온도로 기공크기가 100 nm인 α-alumina를 처리하였다. CVD온도는 700^℃, 650^℃, 600^℃이었다. 600^℃에서 수행한 단일 성분의 투과 실험에서 측정한 막의 H_2/N_2 선택도는 CVD 온도 700^℃의 M1 막은 43.2, 650^℃의 M2 막은 12.6, 600^℃의 M3 막은 8.7을 나타내었다. HI-H_2O 기상 혼합물에서 안정성 실험은 450^℃에서 수행하였는데, CVD 온도 650^℃에서 처리된 막이 다른 온도에서 처리된 막보다 더 안정성이 더 좋은 결과를 얻었다.
The stability of the prepared silica membrane by chemical vapor deposition (CVD) method in the HI-H_2O gaseous mixture was evaluated aiming at the application for hydrogen iodide decomposition in the thermochemical IS process. Porous α-alumina having pore size of 100 nm was modified by the different CVD temperature using tetraethoxysilane as the Si source. The CVD temperature was 700^℃, 650^℃, and 600^℃. The H_2/H_2 selectivities of the modified membranes which were measured by single-component permeation experiment showed 43.2, 12.6, and 8.7 at 600^℃ for the M1 (CVD temperature was 700^℃), M2 (CVD temperature was 650^℃) and M3 membranes (CVD temperature was 600^℃), respectively. Stability experiment in the HI-H_2O gaseous mixture was carried out at 450^℃. The prepared silica membrane at 600^℃ of CVD temperature was more stable than that at the other CVD temperature.
