일반적인 pattemed vertical alignment (PV A)모드는 도에인의 경계부분에서의 액정 방향자틀
의 충돌로 인해 투과율 감소를 나타나게 된다. 이 문제를 해결하기 위해 본 논문에서는 하부기판 화소
전극 사이에 바이어스 전극을 위치시킨 새로운 형태의 PVA모드를 제안하였다. 제안된 구조에 전압 인
가시 상하부 가판에 수직전기장 뿐만 아니라 화소전극과 바이어스 전극간의 프란지 필드륜 형성하게
되어 액정 방향자들의 충돌이 작아지게 된다. 그 결과 본 논문에서 제안한 새로운 PVA의 광 투과율은
기존 PVS 모드에 비해 10%이상 향상되었다.
The conventional patterned vertical alignment (PVA) mode shows relatively low
transmittance because of collision of the liquid crystal directors in the domain divided area. To
solve this problem, we proposed a novel cell structure, in which the bias electrode, just below the two consecutive pixel electrodes, is formed. At applied voltage, the electric fields develop between the pixel electrode and bias electrode. New electrode design modifies LC director configuration in the domain divided area, which in turn increases the transmittance. The improved PVA mode shows, 10% more increased optical transmittance than that of conventional PVA mode.