LPCVD로 제조된 다결정실리콘에 As를 주입한 시료의 비저항에 대한 온도의존성 연구

하형찬; 김정태; 고철기; 천희곤; 오계환

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LPCVD로 제조된 다결정실리콘에 As를 주입한 시료의 비저항에 대한 온도의존성 연구 KCI 등재 SCOPUS

Temperature Dependence of Resistivity in As Implanted LPCVD Polycrystalline Silicon Films

하형찬, 김정태, 고철기, 천희곤, 오계환

언어KOR
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한국재료학회지 (Korean Journal of Materials Research)

제1권 제1호 (1991.01)
pp.23-28

한국재료학회 (Materials Research Society Of Korea)

초록

저압 화학 증착법으로 증착된 다결정실리콘에 As를 이온주입하여 As농도와 25~105˚C 범위의 측정온도에 따른 비저항의 변화를 조사하였다. 비저항이 최대가 되는 적정 As농도가 존재하였으며 이때 비저항의 온도의존성면에서 활성화에너지 값도 최대를 보였다. Passivation공정후 감소된 비저항이 O2플라즈마 처리와 N2 분위기에서의 열처리에 의하여 회복되는 현상에 대하여 설명한다.

저자

하형찬 | Ha, Hyoung-Chan
김정태 | 김정태
고철기 | 고철기
천희곤 | 천희곤
오계환 | 오계환

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