산화규소 표면위에서 WF6-SiH4 화학증착에 의한 텅스텐 핵의 생성

최경근; 이청; 이시우; 이건홍

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산화규소 표면위에서 WF6-SiH4 화학증착에 의한 텅스텐 핵의 생성 KCI 등재 SCOPUS

Chemical Vapor Nucleation of Tungsten from WF6-SiH4 on Silicon Dioxide Surface

최경근, 이청, 이시우, 이건홍

언어KOR
URLhttps://db.koreascholar.com/Article/Detail/294576

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한국재료학회지 (Korean Journal of Materials Research)

제2권 제1호 (1992.02)
pp.19-26

한국재료학회 (Materials Research Society Of Korea)

초록

WF6와 SiH4의 화학반옹으로부터 산화규소막 위에 텅스텐 핵이 형성되는 현상을 실험을 통해 관찰하였다. 핵이 생성되는 속도는 반응온도가 높고 운반기체의 유량이 적으며 반응기내의 압력이 높을수록 큰 것으로 나타났다. 또한 반응기체가 흘러가는 방향에서 아랫쪽으로 위치하는 표면에 핵이 생성되는 속도가 큰 것으로 나타났다. 산화막위에 생성된 텅스텐 핵의 형상과 파단면을 주사현미경으로 관찰하였으며 산화막위에 형성된 텅스텐 박막의 화학적 조성을 밝혀내었다.

저자

최경근 | Choi, Kyeong-Keun
이청 | 이청
이시우 | 이시우
이건홍 | 이건홍

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