TEOS-O3 산화막은 깔개층 물질에 따라 증착속도가 변하는 특성을 나타낸다. 본 논문에서는 TEOS-O3 산화막의 깔개층 물질 의존성 이외에도 배선 밀도, 배선 간격에 따라 증착속도가 달라지는 패턴 의존성에 대하여 조사하였다. 또한 TEOS-O3 산화막의 깔개층 물질 의존성 및 패턴 의존성을 줄이기 위해 다층 배선에서 1차 배선후에 깔개층, 즉 TEOS-base 프라즈마 산화막 및 SiH4-base 프라즈마 산화막을 증착했을 때 TEOS-O3 산화막의 증착 특성을 조사하였다. 그리고 그 깔개층 물질에 N2 프라즈마 처리를 했을 때 TEOS-O3 산화막의 증착 특성에 대해 조사하였다. 그 결과 TEOS-O3 산화막에서 기판 위에 배선 밀도와 배선 간격에 따른 의존성은 깔개층물질이 SiH4-base 일때보다 TEOS-base 프라즈마 산화막인 경우 N2 프라즈마 처리를 하면 깔개층 물질 표면이 O-Si-N화 되므로써 의존성이 사라지게 된다.

• 안용철
• 박인선 | 박인선
• 최지현 | 최지현
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• 이정규 | 이정규
• 이종길 | 이종길