전처리가 CVD 텅스텐의 핵 생성에 미치는 영향

김의송; 이종무; 이종길

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전처리가 CVD 텅스텐의 핵 생성에 미치는 영향 KCI 등재 SCOPUS

Effects of various Pretreatments on the Nucleation of CVD Tungsten

김의송, 이종무, 이종길

언어KOR
URLhttps://db.koreascholar.com/Article/Detail/294630

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한국재료학회지 (Korean Journal of Materials Research)

제2권 제6호 (1992.12)
pp.443-451

한국재료학회 (Materials Research Society Of Korea)

초록

반응성 스팟터법에 의하여 형성된 TiN막 표면상에 CVD 텅스텐막을 증착할 때 여러가지 전처리 실시에 따른 텅스덴의 핵 생성 양상의 변화를 비교 조사하였다. 먼저 Ar rf 스팟터에칭 전처리는 에칭 두께가 200A 이상일 때에는 잠복기와 증착속도를 증가시킨다. Ar 이온주입 전처리는 잠복기를 증가시켜 텅스텐의 핵 생성에는 불리한 효과를 나타내는 반면, 증착속도는 증가시킨다. 또한 SiH4flushing 전처리는 TiN막 표면에서의 Si의 흡착을 용이하게 함으로써 잠복기를 약간 감소시키는 효과를 나타낸다.

저자

김의송 | Kim, Eui-Song
이종무 | 이종무
이종길 | 이종길

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