GaAs0.5Sb0.5 에피층의 규칙상의 원자 배열

임영언

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GaAs0.5Sb0.5 에피층의 규칙상의 원자 배열 KCI 등재 SCOPUS

Atomic Arrangement of Ordered Phase in GaAs0.5Sb0.5 Epilayer

임영언

언어KOR
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한국재료학회지 (Korean Journal of Materials Research)

제3권 제6호 (1993.12)
pp.678-683

한국재료학회 (Materials Research Society Of Korea)

초록

MBE법으로 580˚C에서 성장한 GaAs0.5Sb0.5/(001)GaAs 에피층의 원자 배열을 TEM을 이용하여 분석하였다. 1/2(111) 형의 장범위 규칙상이 GaAs0.5Sb0.5/(001)GaAs 에피층에서 발견되었다. 이 규칙상의 원자 배열은 As의 농도가 높은 111As 면과 Sb의 농도가 높은 l1lSb 면이 V족 소격자에 교대로 나열된 구조이며, 주기는 111 면간 거리의 2배이다. 이 구조는 R3m 의 공간군에 속하며, 단위포는 능면체정이다.

저자

임영언 | Ihm, Yeong-Eon

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