RF Magnetron Sputtering에 의한 (Ba0.5, Sr0.5)Tio3박막의 제조와 전기적 특성에 관한 연구

박상식; 윤손길

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RF Magnetron Sputtering에 의한 (Ba0.5, Sr0.5)Tio3박막의 제조와 전기적 특성에 관한 연구 KCI 등재 SCOPUS

Preparation and Electrical Properties of (Ba0.5, Sr0.5)Tio3Thin Films by RF Magnetron Sputtering

박상식, 윤손길

언어KOR
URLhttps://db.koreascholar.com/Article/Detail/294772

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한국재료학회지 (Korean Journal of Materials Research)

제4권 제4호 (1994.06)
pp.453-458

한국재료학회 (Materials Research Society Of Korea)

초록

256Mb DRAM에서 박막 커패시터로의 적용을 위해서(Ba0.5Sr0.5)/TiO3(BST)박막이 RF Magnetron Sprttering방법에 의해 제조되었다. BST박막의 결정화도는 기판온도가 높아짐에 따라 증가하였고 증착된 박막의 조성은 (Ba0.48Sr0.48)/TiO2.93이었다. 이때 Pt/Ti장벽층은 Si의 BST계면으로의 확산을 억제하였다. 100kHz에서의 유전상수 및 유전손실은 각각 320 및 0.022이었다. 인가전계도 (Charge Storage Density)는 40fC/μ m2, 누설전류밀도(Leakage Current Density)는 0.8μ A/cm2 로서 RF Matnetron sputtering방법에 의해 제조된 BST 박막이 256Mb DRAM 적용 가능함을 보였다.

저자

박상식 | Park, Sang-Sik
윤손길 | 윤손길

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