Zr/Si 다층박막에서의 고상반응에 의한 비정질상과 결정상의 생성 및 상전이

심재엽; 지응준; 곽준섭; 최정동; 백홍구

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Zr/Si 다층박막에서의 고상반응에 의한 비정질상과 결정상의 생성 및 상전이 KCI 등재 SCOPUS

Formation of amorphous and crystalline phase, phase sequence by solid state reaction in Zr/Si multilayer thin films

심재엽, 지응준, 곽준섭, 최정동, 백홍구

언어KOR
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한국재료학회지 (Korean Journal of Materials Research)

제4권 제5호 (1994.08)
pp.493-501

한국재료학회 (Materials Research Society Of Korea)

초록

DSC와 XRD를 사용하여 Zr/Si 다층박막의 고상반응에 의한 비정질상과 결정상 생성 및 상전이를 확인하고 이를 유효구동력 개념과 유효생성열 개념 및 phase determining factor(PDF)모델을 이용하여 예측한 결과와 비교하였다. Zr/Si 다층박막은 비정질호 반응이 잘 일어났으며 이는 유효구동력 개념으로 예측한 바와 일치하였다. Zr/Si 계에서 생성되는 최초의 결정상은 ZrSi 였으며 유효생성열과 PDF모델로부터 예측된 최초의 결정상은 PDF 모델의 예측 결과와 일치하였다. Zr/Si 다층박막의 원자조성비가 1대 1일경우와 1대 2일 경우의상전이는 ZrSi→ZrSi2로 되었으며 이러한 상전이 과정은 유효생성열 다이아그램으로 해석되었다. ZrSi의 생성기구는 핵생성이 율속임을 규명하였고 ZrSi와 ZrSi2의 생성에 필요한 활성화에너지는 1.64±0.19eV와 2.28±0.36eV이었다.

저자

심재엽 | Sim, Jae-Yeop
지응준 | 지응준
곽준섭 | 곽준섭
최정동 | 최정동
백홍구 | 백홍구

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