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급냉응고된 비정질 실리콘 분말의 원자구조에 관한 연구 KCI 등재 SCOPUS
Characterization of Atomic Structure in Rapidly Solidified Amorphous Silicon
한국재료학회지
(Korean Journal of Materials Research)
제4권 제6호 (1994.09)
pp.644-650
pp.644-650
한국재료학회
(Materials Research Society Of Korea)
초록
Electrohydrodynamic Atomization 급냉응고장치를 이용하여 고순도 실리콘 미세분말을 제조하여 투과전자현미경으로 미세조직과 그 응고상을 조사한 결과 직경이 60nm 이하인 분말에서 비장질상이 발견되었다. 비정질 실리콘의 원자구조를 분석하기 위하여 비정질 분말에서 얻은 전자회절 데이타를 이용하여 radial distribution function을 계산하여 해석한 결과, 실리콘의 결정구조인 다이아몬드 입방격자에서 발견되는 기본적 정사면체 배열이 비정질 실리콘의 2번째 근접원자간 거기까지 유지됨을 알 수 있었으며 이로부터 비정질 실리?이 단범위 규칙성을 갖는 tetrahedrally coordinated random network 원자배열로 이루어짐을 알았다.
저자
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