Si이 고농도로 첨가된 GaAs의 photoreflectance에 관한 연구

배인호; 이정열; 김인수; 이철욱; 최현태; 이상윤; 한병국

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Si이 고농도로 첨가된 GaAs의 photoreflectance에 관한 연구 KCI 등재 SCOPUS

A Study on Photoreflectance of Heavily Si Doped GaAs

배인호, 이정열, 김인수, 이철욱, 최현태, 이상윤, 한병국

언어KOR
URLhttps://db.koreascholar.com/Article/Detail/294806

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한국재료학회지 (Korean Journal of Materials Research)

제4권 제6호 (1994.09)
pp.723-729

한국재료학회 (Materials Research Society Of Korea)

초록

Si이 고농도로 첨가된 n-GaAs(100)의 Photoreflectance(PR)에 대하여 조사하였다. PR 응답은 변조빔 세기, 변조 주파수 및 온도에 의존함음 알았다. 관측된 Frantz-Keldysh oscillation(FKO)으로 부터, 띠간격 에너지(Eo)와 표면전장((Es)을 결정하였다. 온도가 상온에서 77K로 감소시킴에 따라, 띠간격 에너지는 증가하는 반면에 , 표면전장은 감소한다. 결정성은 500˚C에서 5분간 열처리후 크게 향상되었다.

저자

배인호 | Bae, In-Ho
이정열 | 이정열
김인수 | 김인수
이철욱 | 이철욱
최현태 | 최현태
이상윤 | 이상윤
한병국 | 한병국

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