논문 상세보기

Si기판 세정조건에 따른 산화막의 특성연구 KCI 등재 SCOPUS

A Study on characteristics of thin oxides depending on Si wafer cleaning conditions

  • 언어KOR
  • URLhttps://db.koreascholar.com/Article/Detail/294829
구독 기관 인증 시 무료 이용이 가능합니다. 4,000원
한국재료학회지 (Korean Journal of Materials Research)
한국재료학회 (Materials Research Society Of Korea)
초록

Gate oxide의 특성은 세정공정에서 사용된 last세정용액에 큰 영향을 받는다. Standard RCA, HF-last, SCI-last, and HF-only 공정들은 gate oxidation하기 전 본 실험에서 행해진 세정공정들이다. 세정공정을 마친 Si기판들은 oxidation furnace에서 900˚C로 thermal oxidation공정을 거치게 된다. 100Å의 gate oxide를 성장시킨 후 lifetime detector, VPD, AAS, SIMS, TEM, 그리고 AFM고 같은 분석장비를 이용하여 oxide의 특성을 평가했다. HF-last와 HF-only 공정에 의해 금속 불순물들이 매우 효과적으로 제거됐음을 알 수 있었다. Oxide의 표면 및 계면 형상은AFM과 TEM 측정을 통하여 관찰하였다. 표면거칠기는 SCI 세정용액을 사용한 splits 실험에서 불균일함이 관찰되었고 HF-only세정공정을 거친 시편 및 계면이 가장 smooth했다.

저자
  • 전형탁 | Jeon, Hyeong-Tak
  • 강응렬 | 강응렬
  • 조윤성 | 조윤성