PMMA/P(MMA/MAA) 구조에서 0.1μm T-gate 형성을 위한 전자빔 리소그래피 공정에 관한 연구

최상수; 이진희; 유형준; 이상윤

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PMMA/P(MMA/MAA) 구조에서 0.1μm T-gate 형성을 위한 전자빔 리소그래피 공정에 관한 연구 KCI 등재 SCOPUS

A study on electron beam lithography for 0.1μm T-gate formation at P(MMA/MAA)/PMMA structure

최상수, 이진희, 유형준, 이상윤

언어KOR
URLhttps://db.koreascholar.com/Article/Detail/294843

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한국재료학회지 (Korean Journal of Materials Research)

제5권 제1호 (1995.02)
pp.96-103

한국재료학회 (Materials Research Society Of Korea)

초록

30KV 전자빔리소그래피 장치를 사용하여 PMMA 3000Å/P(MMA/MAA) 6000Å의 이중구조에서 foot width 0.1μm이하, head width 0.4μm의 T-gate를 형성하였다. PMMA/P(MMA/MAA)/GaAS 구조에 대한 Monte Carlo 시뮬레이션 결과, 산란반경 0.1μm에서 전방산란전자와 후방산란전자의 에너지 비는 19.5:1로 나타났다. 전자빔리소그래피 공정에 필요한 PMMA 및 P(MMA/MMA)의 열처리 조건, 설게 선폭에 대한 패턴감도를 구하였다. MIBK : IPA = 1 : 1 현상액에 대한 PMMA 및 P(MMA/MAA)의 감마값(gamma value)은 2.3이었다. 광 및 전자빔리소그래피 장치의 혼합사용(mix-and-match) 결과 층간정렬도 (alignment accuracy)는 0.1μm(3σ) 이하를 얻었다.

저자

최상수 | Choe, Sang-Su
이진희 | 이진희
유형준 | 유형준
이상윤 | 이상윤

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