논문 상세보기

고 종횡비의 미세 채널 패턴에서의 습식 식각 특성 분석 KCI 등재 SCOPUS

The Characteristics of Wet Etch Process for Sub-micron Channel pattern with High Aspect Ratios

  • 언어KOR
  • URLhttps://db.koreascholar.com/Article/Detail/294857
구독 기관 인증 시 무료 이용이 가능합니다. 4,000원
한국재료학회지 (Korean Journal of Materials Research)
한국재료학회 (Materials Research Society Of Korea)
초록

콘택 홀 패턴의 미세화가 HF 용액의 침투에 미치는 영향을 파악하고자, 미세 채널 패턴에서의 산화막 습식 식각 특성을 조사하였다. LPCVD로 증착된 산화막을 두께 0.1~1μm, 선폭 0.1~20μm, 그리고 초기 깊이 ~1.2μm 범위의 질화막으로 둘러 쌓인 미세 채널 패터으로 제작한 후, HF용액에 의한 산화막의 식각속도를 관찰하였다. 실험 결과로써, 크기가 0.1 × 0.1 μ m2 초기 깊이가 1.2μm인 고종횡비(~12)의 초미세 패턴에서도 식각 속도가 일정함을 볼 수 있어서, 콘택 홀 패턴의 미세화에 관계없이 반응액의 침투가 원활하게 이루어짐을 알 수 있었다.

저자
  • 이춘수 | Lee, Chun-Su
  • 최상수 | 최상수
  • 백종태 | 백종태
  • 유형준 | 유형준