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RF 마그네트론 스퍼터링법으로 증착한 Al이 첨가된 ZnO 투명전도막의 전기적 특성 KCI 등재 SCOPUS

Electrical Properties of Al-doped ZnO Transparent Conducting Thin Films Deposited by RF Magnetron Sputtering

  • 언어KOR
  • URLhttps://db.koreascholar.com/Article/Detail/294867
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한국재료학회지 (Korean Journal of Materials Research)
한국재료학회 (Materials Research Society Of Korea)
초록

첨가제로 Al2O3가 포함된 ZnO 소결체가 타깃을 이용하여 RF 마그네트론 스퍼터링법으로 Al이 첨가된 ZnO박막을 증착하고, 타깃에 첨가된 Al2O3</TEX>의 농도와 증착시 스퍼터링장치내의 기판위치에 따른 박막의 물성 변화를 고찰하였다. 타깃의 Al2O3 첨가농도가 2wt%인 경우에 비저항치 8 × 10-3 Ω-cm인 박막이 증차되었다. 또한 Al2O3</TEX>가 2wt%이상 첨가된 경우는 모든 Al이 박막내부에서 Zn를 치환하여 전자주게로의 역할을 하지 못하고, 오히려 치환되지 못한 Al원자의 중성 불순물 산란효과에 의해 박막의 비저항이 증가하였다. 타깃의 마모영역 위에서 증착된 Al을 첨가한 ZnO 박막은 그 영역 KR에서 증착된 박막보다 높은 비저항값을 나타냈으며, 이는 큰 에너지를 가지는 산소입자의 충돌에 기인한 것으로 여겨진다.

저자
  • 김진용 | Kim, Jin-Yong
  • 이용의 | 이용의
  • 조해석 | 조해석
  • 이동현 | 이동현
  • 김영진 | 김영진
  • 김형준 | 김형준