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AlGaN/GaInN 이중 이종접합구조의 광여기 유도방출과 편광특성 KCI 등재 SCOPUS

Poperties of Optically Pumped Stimulated Emission and its Polarization from an AlGaN/GaInN Double Heterostructure

  • 언어KOR
  • URLhttps://db.koreascholar.com/Article/Detail/294883
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한국재료학회지 (Korean Journal of Materials Research)
한국재료학회 (Materials Research Society Of Korea)
초록

AlGaN/GaInN 이중이종접합구조(double heterostructure :DH)를 대기압 유기금속기상에 피텍셜(MOVPE)법으로 AIN 와충층을 이용하여 사파이어 기판위에 성장하고, 실온에서의 광여기법에 의한 청색영역의 단면모드 유도방출특성과 편광특성을 조사하였다. 여기광원의 광밀도가 증가함에 따라 청색 영역에서의 유도방출 피크는 낮은 에너지 쪽으로 이동하였고, 유도방출 피크파장은 여기광밀도가 200kW/cm2일때 402nm 이었으며, 스펙트럼의 반치폭은 18meV 이었다. 또한 유도방출에 필요한 여기광밀도의 임계치는 130 kW/cm2 이었다. AlGaN/GaInN로부터 방출되는 유도방출 광은 임계치 이상에서 TE-mode로 편광 되었다.

저자
  • 김선태 | Kim, Seon-Tae
  • 문동찬 | 문동찬