AlGaN/GaN이중 이종접합구조의 광여기 유도방출 특성

김선태; 문동찬

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AlGaN/GaN이중 이종접합구조의 광여기 유도방출 특성 KCI 등재 SCOPUS

Optically Pumped Stimulated Emission from AlGaN/GaN Double-Heterostructure

김선태, 문동찬

언어KOR
URLhttps://db.koreascholar.com/Article/Detail/294886

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한국재료학회지 (Korean Journal of Materials Research)

제5권 제4호 (1995.06)
pp.445-450

한국재료학회 (Materials Research Society Of Korea)

초록

AIN 완충층을 이용하여 대기압 유기금속에피텍셜 (MOVPE)법으로 사파이어 기판위에 성장시킨 AlGaN/GaN 이중 이종접합구조(double heterostructure : DH)의 고밀도 광여기에 의한 자외선 영역에서의 단면모드 유도방출 특성에 대하여 조사하였다. 실온에서 여기광 밀도 200kW/cm2에서 방출된 AlGaN/GaN DH의 유도방출 피크파장과 반치폭은 각각 369nm와 22.4meV이었으며, 80K의 온도에서는 각각 360.1nm와 13.4meV이었다. 고밀도 광여기에 의하여 단면모드 자외영역 유도방출을 얻기에 필요한 입사광 밀도의 임계치는 실온과 80K의 온도에서 각각 89kW/cm2와 44kW/cm2이었다.

저자

김선태 | Kim, Seon-Tae
문동찬 | 문동찬

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