Rf 마그네트론 반응성 스퍼터링법에 의해 증착된 RuO2 박막의 특성분석

조호진; 홍석경; 조해석; 양홍근; 김형준

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Rf 마그네트론 반응성 스퍼터링법에 의해 증착된 RuO2 박막의 특성분석 KCI 등재 SCOPUS

Characterization of RuO2 Thin Films Deposited by Rf Magnetron Reactive Sputtering

조호진, 홍석경, 조해석, 양홍근, 김형준

언어KOR
URLhttps://db.koreascholar.com/Article/Detail/294898

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한국재료학회지 (Korean Journal of Materials Research)

제5권 제5호 (1995.08)
pp.544-551

한국재료학회 (Materials Research Society Of Korea)

초록

Rf 마그네트론 반응성 스퍼터링법을 이용하여 Si, SiO2/Si 가판의에 전도성 RuO2 박막을 증착하고, 공정변수가 증착되는 박막의 특성에 미치는 영향을 고찰하였다. 대부분의증착조건에서 주상정 구조의 단일상 RuO2 박막이 증착되었으며, 부착원자들의 표면이동도가 낮은 영역에서는 (101) 우선배향성이 관찰되었고, 높은 영역에서는 (200) 우선배향성이 관찰되었다. 증착조건에 따른 박막의 우선배향성 변화는 박막의 결정구조와연관지어 논의되었다. 기판온도 350˚C에서 증착된 박막은 치밀하고 표면이 평탄하며, 비저항이 90㏁-cm 정도로 낮아서 고유전율 박막의 전극물질로 이용하기에 적합하였다. 450˚C 이상의 기판온도에서 증착된 박막은 46㏁-cm 정도로 매우 낮은 비저항을 갖니만 표면이 거칠었다.

저자

조호진 | Jo, Ho-Jin
홍석경 | 홍석경
조해석 | 조해석
양홍근 | 양홍근
김형준 | 김형준

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