Ta2O5 박막의 누설전류 및 유전특성과 박막응력

이재석; 양승기; 신상모; 박종완

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Ta2O5 박막의 누설전류 및 유전특성과 박막응력 KCI 등재 SCOPUS

Leakage Current, Dielectric Properties and Stresses of Ta2O5 Thin Films

이재석, 양승기, 신상모, 박종완

언어KOR
URLhttps://db.koreascholar.com/Article/Detail/294909

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한국재료학회지 (Korean Journal of Materials Research)

제5권 제6호 (1995.09)
pp.633-638

한국재료학회 (Materials Research Society Of Korea)

초록

열산화 및 PECVD법으로 p-type(100)Si wafer위에 Ta2O5, 박막을 형성한 후 이들 박막의 전기적 특성과 박막응력 상호간의 관계를 연구하였다 열산화 시편의 경우 dc magnetron sputtering법으로 Ta을 증착시킨 후에 산화온도와 시간을 변수로 열산화시켜 박막을 형성시켰으며 PECVD 시편의 경우 RF power density를 변화시켜가면서 박막을 형성시켰다. 이들 박막의 전기적 특성과 박막응력을 조사하여 전기적 특성과 박막응력 상호간의 관계를 조사한 결과 열산화 박막의 경우 누설전류와 박막응력은 독립적인데 반해 PECVD 박막의 경우 박막응력의 절대값은 누설전류가 증가함에 따라 증가하였다.

저자

이재석 | Lee, Jae-Suk
양승기 | 양승기
신상모 | 신상모
박종완 | 박종완

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