Oxidized Si wafer 위에 반응가스로 Si H4과 Ge H4을 사용하여 RTCVD(rapid thermal chemical vapor deposition)법으로 증착온도 450~550˚C에서 다결정 S i1-xG ex 박막을 증착하였다. 증착된 S i1-x, G ex 박막은 증착온도와 Ge H4Si H4입력비 변화에 따른 Ge몰분율 변화와 증착속도에 대해 고찰하였으며, XRD와 AFM(atomic force microscopy)등을 이용하여 결정상과 표면거칠기 등을 조사하였다. 실험결과, 다결정 S i1-xG ex 박막은 32~37 Kcal/mole의 활성화에너지 값을 가졌으며 증착속도는 증착온도와 입력비 중가에 따라 증가하였다. 또한 조성분석으로부터 입력비 감소와 증착온도 증가에 따라 Ge몰분율이 감소함을 알 수 있었다. 증착된 S i1-xG ex 박막은 450, 475˚C에서 임력비가 0.05일때 비정질 형태로 존재하였으며 그 이외의 실험영역에서는 다결정 형태로 존재하였다. 기존의 다결정 Si 중착온도(600˚C이상)와 비교하여 Ge H4을 첨가함으로써 비교적 낮은온도(550˚C이하) 영역에서 다결정 S i1-xG ex 박막을 얻을 수 있었다. 또한 증착층의 표면거칠기를 측정한 결과, 증착온도와 입력비가 증가함에 따라 표면 거칠기( Ri )가 증가함을 알 수 있었다.을 알 수 있었다.

• 김재중 | Kim, Jae-Jung
• 이승호 | 이승호
• 소명기 | 소명기