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고 indium 농도 InGaAs와 GaAs 박막간 계면에 관한 연구 KCI 등재 SCOPUS
Studies of the Interface between the High Indium Content InGaAs QW and GaAs Layers
한국재료학회지
(Korean Journal of Materials Research)
제6권 제1호 (1996.01)
pp.84-89
pp.84-89
한국재료학회
(Materials Research Society Of Korea)
초록
분자선 증착법(Molecular Beam Epitaxy)에 의하여 성장시킨 고농도 InGaAs layer에서 성장중지법이 계면 거칠기에 미치는 영향이 연구되었다. 계면을 평활화하기 위하여 단원자층의 GaAs 또는 AIAs를 InGaAs alyer 양쪽 계면에 증착한 뒤 뒤이어 성장중지를 실시하였다. Photoluminescence(PL) 측정에 의하면, 단원자 GaAs층 증착을 통한 평활화법보다 상당히 향상된 계면조건을 보여졌다. 고 분해능 단면 전자현미경법(Cross-section high resolution transmission electron microscopy, XHRTEM)에 의해 관찰되어진바, 계면 평활화법에 의해 계면의 평활성, 연속성 및 결정결함 밀도등에서 현저한 향상이 얻어졌다.
저자
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