MOCVD법에 의한 AI 박막의 증착속도 분포에 대한 수치모사

정원영; 김도현

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MOCVD법에 의한 AI 박막의 증착속도 분포에 대한 수치모사 KCI 등재 SCOPUS

Numerical Simulation for Deposition Rate Distribution of AI Film by MOCVD Process

정원영, 김도현

언어KOR
URLhttps://db.koreascholar.com/Article/Detail/294973

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한국재료학회지 (Korean Journal of Materials Research)

제6권 제1호 (1996.01)
pp.99-105

한국재료학회 (Materials Research Society Of Korea)

초록

본 연구에서는 TIMA를 전구체로 하는 수직형 MOCVD 반응기를 대상으로 수학적 모델을 세우고 컴퓨터에 의한 수치모사를 수행하여 반응기 설계 변수 및 공정조건이 AI의 증착속도와 증착두께 분포에 미치는 영향을 알아보았다. 수학적 모델은 수직형 반응기를 축대칭으로 보아 2차원으로 수립하였으며 반응기내의 운동량전달, 열전달, 물질전달을 포함한다. 이 수학적 모델의 지배 방정식들에 대하여 Galerkin 유한요소법을 적용하여 수치적으로 반응기 내의 유체 흐름 구조, 온도분포와 반응물의 농도 분포를 구하였다. 수치모사 결과 AI의 증착속도는 반응기 압력이 0.47torr, 기판온도가 250˚C, 유량이 7.5sccm일 경우, 190-230Å/min로 나타났다.

저자

정원영 | Jeong, Won-Yeong
김도현 | 김도현

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