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실리콘 식각 공정시 발생하는 격자결함 관찰 및 제거동향 연구 KCI 등재 SCOPUS

Lattice Damage Produced during Silicon Etch Process and Its Recovery Phenomena

원대희, 이주훈, 김지형, 염근영, 이주욱, 이정용
  • 언어KOR
  • URLhttps://db.koreascholar.com/Article/Detail/295027
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한국재료학회지 (Korean Journal of Materials Research)
제6권 제5호 (1996.05)
pp.524-531
한국재료학회 (Materials Research Society Of Korea)
초록

차세대 소자고립구조로서 연구되고 있는 trench isolation 공정 등에는 실리콘 식각이 요구되며 실리콘 식각 공정중에는 반응성 이온에 의해 격자결함이 발생할 수 있다. 이와같이 생성된 결함은 소자의 전기적 성질을 열화시키므로 열처리를 통하여 제거하여야만 한다. 따라서 본 연구에서는 Ar,Ar/H2 플라즈마로 격자결함을 인위적으로 발생시켜 200˚C-1100˚C 질소분위기에서 30분간 열처리에 따른 생성된 격자결함의 소거거동을 관찰하였다. 실리콘 표면에 Schottky 다이오드를 제작하여 I-V, C-V 특성을 측정하므로써 잔류하는 전기적인 손상의 정도를 평가하였다. Ar으로 식각한 경우에는 1100˚C 30분간 열처리한 결과 모든 격자결함이 제거되나 Ar/H2로 식각한 경우에는 격자결함이 완전히 제거되지 않고 (111)적층결함이 남아있었다.

저자
  • 원대희 | Won, Dae-Hui
  • 이주훈 | 이주훈
  • 김지형 | 김지형
  • 염근영 | 염근영
  • 이주욱 | 이주욱
  • 이정용 | 이정용
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