MOVPE 성장방법으로 corrugated InP 기판위에 성장된 InGaAs/InGaAsP 다층박막의 구조연구

남산; 장동훈; 서경수; 조경익

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MOVPE 성장방법으로 corrugated InP 기판위에 성장된 InGaAs/InGaAsP 다층박막의 구조연구 KCI 등재 SCOPUS

Sturctural Studies of InGaAs/InGaAsP Multi-quantum well Structure Grown on Corrugated InP by MOVPE

남산, 장동훈, 서경수, 조경익

언어KOR
URLhttps://db.koreascholar.com/Article/Detail/295043

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한국재료학회지 (Korean Journal of Materials Research)

제6권 제6호 (1996.06)
pp.651-656

한국재료학회 (Materials Research Society Of Korea)

초록

InGaAs/InGaAsP 다층박막을 corrugation이 형성된 InP 기판위에 MOVPE 방법을 이용하여 성장 시킨 후 성장조건에 따른 corrugation 높이의 변화와 석출상에 대하여 투과전자현미경을 이용하여 시킨 후 성장조건에 따른 corrugation 높이의 변화와 석출상에 대하여 투과전자현미경을 이용하여 연구하였다. Corrugation이 형성된 InP 기판을 PH3 및 AsH3가스를 동시에 공급해 주었는데 AsH3 가스의 압력이 높으면(1.8x10-2torr)많은 양의 As를 포함한 In1-xAsxP(x=0.3)석출상이 격자결함과 더불어 형성되었다. 반면에 AsH3 가스의 압력이 낮을때는 (1.0x10-3torr) corrugation의 높이가 30nm이었고, 적은 양의 As를 포함한 In1-xAsxP(x<0.1)석출상이 격자결함이 없이 형성되었다.

저자

남산 | Nam, San
장동훈 | 장동훈
서경수 | 서경수
조경익 | 조경익

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