Reactive Sputtering으로 제조된 /SrBi2Ta2O9박막의 전기적 특성에 미치는 조성의 영향

김호기; 윤손길; 채수진; 양철훈; 박상식

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Reactive Sputtering으로 제조된 /SrBi2Ta2O9박막의 전기적 특성에 미치는 조성의 영향 KCI 등재 SCOPUS

Effect of Composition on Electrical Properties of SBT Thin Films Deposited by Reactive Sputtering

박상식, 양철훈, 채수진, 윤손길, 김호기

언어KOR
URLhttps://db.koreascholar.com/Article/Detail/295075

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한국재료학회지 (Korean Journal of Materials Research)

제6권 제9호 (1996.09)
pp.931-936

한국재료학회 (Materials Research Society Of Korea)

초록

비휘발성 메모리 소자에의 적용을 위한 SrBi2Ta2O9(SBT)박막이 고순도의 Sr, Bi, Ti 금속타겟을 사용하여 Pt/Ti/SiO2/Si 기판 위에 reactive sputtering 법에 의해 증착되었다. 조성의 영향을 평가하기 위하여 Bi 타겟에 인가되는 전원의 변화와 열처리에 따른 C-F(capacitance-frequency), P-E(polarization-electric field), I-V(current-voltage)등의 전기적 특성이 조사되었다. Bi의 양이 증가함에 따라 Bi layer 구조를 나타내는 (105)회절 피크가 증가하였고 700˚C, 산소분위기에서 1시간 동안 열처리후 Sr과 Bi가 심하게 휘발되었으며 박막의 미세구조는 다공질이 되었다. 이러한 이유로 열처리된 박막의 누설 전류 밀도는 증가하였다. 열처리된 시편의 조성은 거의 화학양론비를 이루었으며 4.5μC/cm2의 Pr값을 갖는 강유전(ferroelectric)특성을 나타내었다.

저자

김호기 | 김호기
윤손길 | 윤손길
채수진 | 채수진
양철훈 | 양철훈
박상식 | Park, Sang-Sik

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