매립형 InGaAsP/InP 레이저 다이오드 제작을 위한 질량 이동 현상에 관한 연구

최인훈; 이종민; 신동석

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매립형 InGaAsP/InP 레이저 다이오드 제작을 위한 질량 이동 현상에 관한 연구 KCI 등재 SCOPUS

A Study on Mass Transport for InGaAsP/InP Buried Heterostructure Laser Diode

최인훈, 이종민, 신동석

언어KOR
URLhttps://db.koreascholar.com/Article/Detail/295342

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한국재료학회지 (Korean Journal of Materials Research)

제8권 제5호 (1998.05)
pp.419-423

한국재료학회 (Materials Research Society Of Korea)

초록

매립형 InGaAnP/InP 레이저 다이오드 제작을 위한 질량 이동 현상의 최적화에 대한 연구를 수행하였다. Double heterostructure 레이저 다이오드 구조의 1차 성장은 액상 에피 성장 장치를 이용하였으며, 메사 에칭하였다. 활성층을 [110] 방향으로 선택적으로 에칭 한 후, 액상 에피 성장 장치를 이용하여 질량 이동 현상을 발생시켜 매립형 구조를 형성시켰다. 질량 이동 현상의 임계온도는 40분간 유지시켰을 때 670˚C로 나타났으며 재현성 있게 질량 이동 현상이 발생하였다. 질량 이동 현상에 의해 성장된 층의 폭은 온도증가에 따라 약간 증가하였다.

저자

최인훈 | Choi, In-Hoon
이종민 | 이종민
신동석 | 신동석

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