후막 GaN성장에 있어서 uniformity와 controllability를 향상시키기 위해 GaCI3를 이용한 수직형 HVPE(Hyderide Vapor Phase Epitaxy)를 자체 제작하여 후막 GaN의 성장특성을 조사하였다. 성장온도를 1000˚C에서 1075˚C까지 변화시키면서 성장된 GaN의 특성을 분석한 결과 온도가 증가할수록 표면특성과 광학적 특성은 향상되었으나 DCXRD( Double Crystal X-Ray diffractometer)의 FWHM(Full width of Half Maximum)은 온도와 무관하게 500-1000arcsec을 나타내었다. GaN의 성장이 1x1cm의 시편에 걸쳐 균일하게 이루어 졌으며, 또한 반응기 내부의 기하학적 특성이 시편의 표면특성과 성장속도에 많은 영향을 끼침을 알 수 있었다. 성장속도는 GaCI3의 유량에 비례하였으나, 1000˚C에서 1075˚C로 온도를 증가조건하에서 최대 28μm/hr의 GaN성장을 얻을 수 있었다.

• 백호선 | Baek, Ho-Seon
• 이정욱 | 이정욱
• 김태일 | 김태일
• 이상학 | 이상학