Co/Ti(100)Si  이중층을 이용한  에피텍셜 Co 실리사이드의 형성

권영재; 이종무; 배대록; 강호규

논문 상세보기

Co/Ti(100)Si 이중층을 이용한 에피텍셜 Co 실리사이드의 형성 KCI 등재 SCOPUS

Epitaxial Cobalt Silicide Formation using Co/Ti/(100) Si Structure

권영재, 이종무, 배대록, 강호규

언어KOR
URLhttps://db.koreascholar.com/Article/Detail/295352

구독 기관 인증 시 무료 이용이 가능합니다. 4,000원

한국재료학회지 (Korean Journal of Materials Research)

제8권 제6호 (1998.06)
pp.484-492

한국재료학회 (Materials Research Society Of Korea)

초록

단결정 Si기판위의 Co/Ti 이중층으로부터 형성된 Co 실리사이드의 에피텍셜 성장기구에 대하여 조사하였다. 실리사이드화 과정중 Ti원자들이 저온상의 CoSi결정구조의 tetrahedral site들을 미리 점유해 있음으로 인하여, CoSi2 결정구조로 바뀌는 과정에서 Si원자들이 나중에 제위치를 차지하기 어렵게 되는 효과 때문이다. 그리고 Ti중간층은 반응의 초기단계에 Co-Ti-O 삼원계 화합물을 형성하는데, 이 화합물은 실리사이드화 과정중 반응 제어층으로 작용하여 에피텍셜 실리사이드 형성에 중요한 역할을 한다. 최종 열처리 층구조 Ti oxide/Co-Ti-Si/epi/Cosi2(100) Si 이었다.

저자

권영재 | Kwon, Young-Jae
이종무 | 이종무
배대록 | 배대록
강호규 | 강호규

같은 권호 다른 논문