HVPE(hydride vapor phase epitaxy)법으로 (111) MgAl2O4기판 위에 10~240μm두께의 GaN를 성장하고, GaN의 두께에 따 광학적 성질을 조사하였다. MgAl2O4기판 위에 성장된 GaN의 PL 특성은 결정성장온도에서 기판으로부터 Mg이 out-diffusion하여 auto-doping 됨으로써 불순물이 첨가된 GaN의 PL 특성을 나타내었다. 10K의 온도데서 측정된 PL 스펙트럼은 자유여기자와 속박여기자의 재결합천이에 의한 피크들과 불순물과 관련된 도너-억셉터 쌍 사이의 재결합 및 이의 포논 복제에 의한 발광으로 구성되었으며, 깊은 준위로부터의 발광은 나타나지 않았다. 중성 도너에 속박된 여기자 발광 에너지와 라만 E2모드 주파수는 GaN의 두께가 증가함에 따라 지수 함수적으로 감소하였으며, GaN 내의 잔류 응력에 대하여 라만 E2 모드 주파수는δΩ=3.93σ(cm-1/GPa)의 관계로 변화하였다.

• 이영주 | Lee, Yeong-Ju
• 김선태 | 김선태