사파이어를 기판으로 이용하여 HVPE법으로 제작한 Freestanding GaN의 특성 - koreascholar

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사파이어를 기판으로 이용하여 HVPE법으로 제작한 Freestanding GaN의 특성 KCI 등재 SCOPUS

Properties of Freestanding GaN Prepared by HVPE Using a Sapphire as Substrate

이영주, 김선태

언어KOR
URLhttps://db.koreascholar.com/Article/Detail/295368

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한국재료학회지 (Korean Journal of Materials Research)

제8권 제7호 (1998.07)
pp.591-595

한국재료학회 (Materials Research Society Of Korea)

저자

이영주 | Lee, Yeong-Ju
김선태 | 김선태

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