논문 상세보기

Relative Absorption Edges of GaN/InGaN/GaN Single Quantum Wells and InGaN/GaN Heterostructures by Metalorganic Chemical Vapor Deposition KCI 등재 SCOPUS

유기금속화학기상증착법으로 성장된 GaN/InGaN/GaN 단양자 우물층과 InGaN/GaN 이종접합 구조의 광학적 특징

Kim, Je-Won, Son, Chang-Sik, Jang, Yeong-Geun, Choe, In-Hun, Park, Yeong-Gyun, Kim, Yong-Tae, Ambacher, O., Ctutzmann, M.
  • 언어ENG
  • URLhttps://db.koreascholar.com/Article/Detail/295469
구독 기관 인증 시 무료 이용이 가능합니다. 3,000원
한국재료학회지 (Korean Journal of Materials Research)
제9권 제1호 (1999.01)
pp.42-45
한국재료학회 (Materials Research Society Of Korea)
저자
  • Kim, Je-Won | Kim, Je-Won
  • Son, Chang-Sik | Son, Chang-Sik
  • Jang, Yeong-Geun | Jang, Yeong-Geun
  • Choe, In-Hun | Choe, In-Hun
  • Park, Yeong-Gyun | Park, Yeong-Gyun
  • Kim, Yong-Tae | Kim, Yong-Tae
  • Ambacher, O. | Ambacher, O.
  • Ctutzmann, M. | Ctutzmann, M.
인용하기
양식 선택

Kim, Je-Won, Son, Chang-Sik, Jang, Yeong-Geun, Choe, In-Hun, Park, Yeong-Gyun, Kim, Yong-Tae, Ambacher, O., Ctutzmann, M.. (1999). 유기금속화학기상증착법으로 성장된 GaN/InGaN/GaN 단양자 우물층과 InGaN/GaN 이종접합 구조의 광학적 특징. 한국재료학회지, 9(1), 42-45.

Kim, Je-Won, Son, Chang-Sik, Jang, Yeong-Geun, Choe, In-Hun, Park, Yeong-Gyun, Kim, Yong-Tae, Ambacher, O., Ctutzmann, M.. (1999). Relative Absorption Edges of GaN/InGaN/GaN Single Quantum Wells and InGaN/GaN Heterostructures by Metalorganic Chemical Vapor Deposition. Korean Journal of Materials Research, 9(1), 42-45.

언어 선택
로그인