Co/Ti Bilayer Silicidation on the p+-Si Region Implanted with High Dose of BF2

Jang, Ji-Geun; Sin, Cheol-Sang

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Co/Ti Bilayer Silicidation on the p+-Si Region Implanted with High Dose of BF2 KCI 등재 SCOPUS

BF2가 고농도로 이온주입된 p+-Si 영역상에 Co/Ti 이중막 실리사이드의 형성

Jang, Ji-Geun, Sin, Cheol-Sang

언어ENG
URLhttps://db.koreascholar.com/Article/Detail/295489

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한국재료학회지 (Korean Journal of Materials Research)

제9권 제2호 (1999.02)
pp.168-172

한국재료학회 (Materials Research Society Of Korea)

초록

보른이 고농도 도핑된 p+-Si 영역상에서 비저항이 낮고 열적 안정성이 우수한 Co/Ti 이중막 실리사이드의 형성을 연구하였다. 본 연구에서는 Co/Ti 이중막 실리사이드는 청결한 p+-Si 기판상에 Co(150Å)/Ti(50Å) 박막을 E-beam 기술로 진공증착하고 질소분위기(10-1atm)에서 2단계 RTA 공정(1차열처리:650˚C/20sec, 2차열처리:800˚C/20sec)을 수행하여 제작된다. 실험에서 얻어진 Co/Ti 이중막 실리사이드는 약 500Å의 균일한 두께를 갖고 18μΩ-cm의 낮은 비저항 특성을 나타내었으며, 1000˚C에 이르기까지 장시간 후속 열처리를 실시하여도 면저항 변화나 열응집 현상이 발생되지 않았다.

저자

Jang, Ji-Geun | 장지근
Sin, Cheol-Sang | 신철상

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