AlN과 저온 GaN 완충층을 이용한 Si 기판상의 후막 GaN 성장에 관한 연구

백호선; 이정욱; 김하진; 유지범

논문 상세보기

AlN과 저온 GaN 완충층을 이용한 Si 기판상의 후막 GaN 성장에 관한 연구 KCI 등재 SCOPUS

Characteristics of Thick GaN on Si using AlN and LT-GaN Buffer Layer

백호선, 이정욱, 김하진, 유지범

언어KOR
URLhttps://db.koreascholar.com/Article/Detail/295559

구독 기관 인증 시 무료 이용이 가능합니다. 4,000원

한국재료학회지 (Korean Journal of Materials Research)

제9권 제6호 (1999.06)
pp.599-603

한국재료학회 (Materials Research Society Of Korea)

초록

AIN과 저온 GaN 완충충율 이용하여 Si 기판 위의 후막 GaN의 성장특성을 조샤하였다. Si과 GaN의 격자부정합도와 열팽창계수의 차이를 줄이기 위해 AIN과 저온 GaN를 완충충으로 사용하였다. AIN은 RF sputter를 이용하여 중착온도와 증착시간 및 RF power에 따른 표면 거칠기를 AFM으로 조사하여 최척조건을 확립하여 사용하였다. 또한 저온에서 GaN를 성장시켜 이를 완충충으로 이용하여 후막 GaN의 성장시 미치는 영향을 살펴보았다. 성장온도와 V/III 비율이 후막 성장시 표면특성과 결정성 및 성장속도에 미치는 영향을 조사하였다. 후막 GaN의 표연특성 및 막의 두께는 SEM과 α-step을 이용하여 측정하였으며 결정성은 X-ray Diffractometer를 이용하여 조사하였다.

저자

백호선 | Baek, Ho-Seon
이정욱 | 이정욱
김하진 | 김하진
유지범 | 유지범

같은 권호 다른 논문