Si FEA로부터 tip의 표면을 Ti 금속으로 silicidation한 새로운 3극형 Ti-silicided Si FEA를 제작하고 이의 전계 방출특성을 조사하였다. 제작된 소자에서 단위 pixel(pixel area : 1000μm×1000μm, tip array : 200μm×200μm</TEX>)을 통해 측정된 전계 방출 특성은 108Torr의 고진공 상태에서 turn-on 전압이 약 70V로, 아노드 방출전류의 크기와 current degradation이 VA=500V, VG=150V 바이어스 아래에서 각각 2nA/tip와 0.3%/min로 나타났다. 3극형 Ti-silicided Si FEA의 낮은 turn-on 전압과 높은 전류안정성은 Si tip 표면에 형성된 실리사이드 박막의 열화학적 안정성과 낮은 일함수에 기인하는 것으로 판단된다.

• 장지근 | Chang, Gee-Keun
• 윤진모 | 윤진모
• 정진철 | 정진철
• 김민영 | 김민영