표면 광전압 방법에 의한 Al0.24Ga0.76As/GaAs 다중 양자우물 구조의 광 흡수 특성

김기홍; 최상수; 손영호; 배인호; 황도원; 신영남

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표면 광전압 방법에 의한 Al0.24Ga0.76As/GaAs 다중 양자우물 구조의 광 흡수 특성 KCI 등재 SCOPUS

Characteristics of Optical Absorption in Al0.24Ga0.76As/GaAs Multi-Quantum Wells by a Surface Photovoltage Method

김기홍, 최상수, 손영호, 배인호, 황도원, 신영남

언어KOR
URLhttps://db.koreascholar.com/Article/Detail/295762

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한국재료학회지 (Korean Journal of Materials Research)

제10권 제10호 (2000.10)
pp.698-702

한국재료학회 (Materials Research Society Of Korea)

초록

Al0.24Ga0.76As/GaAs 다중 양자우물 구조의 고아 흡수 특성을 표면 광전압 방법을 사용하여 연구하였다. SPV 측정결과 1.42eV 부근에서 두 개의 신호가 나탔으며, 이는 화학적 에칭으로 GaAs 기판의 신호와 GaAs 완충층과 관련된 신호임을 확인 할 수 있었다. Al0.24Ga0.76As와 관련된 전이 에너지를 관찰하고, Kuech 등이 제안한 조성식을 이용하여 Al 조성(x=24%)을 결정하였다. 그리고 다중 양자우물에서 나타나는 전이 에너지 값들은 envelope-weve function approximation(EFA)로 계산한 이론치와 잘 일치하였다. 입사광의 세기에 따라 광 전압이 선형적으로 변한다는 것을 알 수 있었고, 온도가 감소함에 따른 전이 에너지의 변화를 관찰하였다.

키워드

surface photovoltage AlGaAs/GaAs multi-quantum wells

저자

김기홍 | Kim, Gi-Hong
최상수 | 최상수
손영호 | 손영호
배인호 | 배인호
황도원 | 황도원
신영남 | 신영남

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