Basal slip (0001)1/3<1120> dislocation in sapphire (α-Al2O3)  single crystals Part I: Dislocation velocity

Yoon, Seog-Young; Lee, Jong-Young

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Basal slip (0001)1/3<1120> dislocation in sapphire (α-Al2O3) single crystals Part I: Dislocation velocity KCI 등재 SCOPUS

사파이어(α-Al2O3) 단결정에 있어 basal slip (0001)1/3<1120>전위 Part I : 전위속도

Yoon, Seog-Young, Lee, Jong-Young

언어ENG
URLhttps://db.koreascholar.com/Article/Detail/295820

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한국재료학회지 (Korean Journal of Materials Research)

제11권 제3호 (2001.03)
pp.221-226

한국재료학회 (Materials Research Society Of Korea)

초록

사파이어 (α-Al2O3) 단결정에 있어 basal slip (0001)1/3<1120>의 전위속도를 4점 곡강도를 이용하여, 측정하였다. 이 곡강도는 온도 1200˚C 에서 1400˚C 그리고 응력은 90MPa, 120MPa, 160MPa에서 행하여졌다. 전위속도는 4 점굽힘 시편의 굽힘변위속도에 의해 구하여졌다. 얻어진 전위속도를 이용하여 전위속도의 온도 및 응력 의존성에 대해 검토하였다. 전위속도의 온도의존성을 이용하여 basal slip 전위속도를 위한 활성화에너지를 구하였으며, 그 값은 대략 2.2±0.4eV이었다. 한편, 전위속도의 응력의존성을 나타내는 응력지수 m은 2.0±0.2이었다.

키워드

sapphire single crystals basal slip dislocation velocity

저자

Yoon, Seog-Young | 윤석영
Lee, Jong-Young | 이종영

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