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Basal slip (0001)1/3<1120> dislocation in sapphire (α-Al2O3) single crystals Part I : recombination motion KCI 등재 SCOPUS

사파이어(α-Al2O3) 단결정에 있어 basal slip (0001)1/3<1120>전위 Part I : 재결합거동

  • 언어ENG
  • URLhttps://db.koreascholar.com/Article/Detail/295828
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한국재료학회지 (Korean Journal of Materials Research)
한국재료학회 (Materials Research Society Of Korea)
초록

사파이어(α-Al2O3) 단결정에 있어 basal slip (0001)1/3<1120>의 부분전위의 재결합거동을 알아보기 위해 prism plane (1120)의 사파이어 재료를 사용하여 4점 곡강도 시험을 행하였다. 이 굽힘시험은 온도 1200˚C~1400˚C에서 그리고 응력은 90MPa, 120MPa, 150MPa에서 행하여졌다 굽힘시험 동안 basal전위가 이동하기 위해 잠복기가 필요하였다. 실험온도 범위내에서 잠복기의 활성화에너지는 5.6-6.0eV이었으며, 이 잠복기는 자체-상승운동으로 분해된 부분전위들이 재결합하는데 필요한 시간인 것으로 추정되었다. 한편, 이 활성화에너지는 Al2O3에 있어 산소의 자체 확산을 위한 에너지 (대fir 6.3eV)와 거의 일치하였다. 이 결과를 통하여, 두 부분전위들의 재결합은 부분전위사이 적층결함으로 산소 자체확산에 의해 제어되는 것으로 여겨진다.

저자
  • Yoon, Seog-Young