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MOCVD 성장조건이 InN/GaN 다층박막의 발광세기에 미치는 영향 KCI 등재 SCOPUS

The Effect of MOCVD Growth Parameters on the Photolumenescence Intensity of InN/GaN Multi-layers

김현수, 이정주, 정순영, 이정용
  • 언어KOR
  • URLhttps://db.koreascholar.com/Article/Detail/295984
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한국재료학회지 (Korean Journal of Materials Research)
제12권 제3호 (2002.03)
pp.190-194
한국재료학회 (Materials Research Society Of Korea)
키워드
III-nitride semiconductorsMOCVDPhotoluminescencemulti-layers
저자
  • 김현수 | Kim, Hyeon-Su
  • 이정주 | 이정주
  • 정순영 | 정순영
  • 이정용 | 이정용
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