ZnO 기판 위에 Hydride Vapor-Phase Epitaxy법에 의한 GaN의 성장 - koreascholar

논문 상세보기

ZnO 기판 위에 Hydride Vapor-Phase Epitaxy법에 의한 GaN의 성장 KCI 등재 SCOPUS

Growth of GaN on ZnO Substrate by Hydride Vapor-Phase Epitaxy

조성룡, 김선태

언어KOR
URLhttps://db.koreascholar.com/Article/Detail/296004

구독 기관 인증 시 무료 이용이 가능합니다. 3,000원

한국재료학회지 (Korean Journal of Materials Research)

제12권 제4호 (2002.04)
pp.304-307

한국재료학회 (Materials Research Society Of Korea)

키워드

HVPE GaN ZnO substrate thick film

저자

조성룡 | Jo, Seong-Ryong
김선태 | 김선태

같은 권호 다른 논문