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MOS 소자용 Silicon Carbide의 열산화막 생성 및 특징 KCI 등재 SCOPUS

Characteristics and Formation of Thermal Oxidative Film Silicon Carbide for MOS Devices

오경영, 이계홍, 이계홍, 장성주
  • 언어KOR
  • URLhttps://db.koreascholar.com/Article/Detail/296007
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한국재료학회지 (Korean Journal of Materials Research)
제12권 제5호 (2002.05)
pp.327-333
한국재료학회 (Materials Research Society Of Korea)
키워드
SiCthermal oxidationsacrifice oxidation
저자
  • 오경영 | O, Gyeong-Yeong
  • 이계홍 | 이계홍
  • 이계홍 | 이계홍
  • 장성주 | 장성주
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