암모니아를 이용하여 분자선에피탁시 방법으로 AIN/Si 기판에 성장시킨 GaN의 구조적,광학적 특성

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Optical and Structural Properties of GaN Grown on AlN/Si via Molecular Beam Epitaxy Using Ammonia

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한국재료학회지 (Korean Journal of Materials Research)

한국재료학회 (Materials Research Society Of Korea)

키워드

GaN molecular beam epitaxy MBE ammonia Si

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