메모리소자를 위한 Ti1-xAlxN 방지막의 산화 거동 - koreascholar

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메모리소자를 위한 Ti1-xAlxN 방지막의 산화 거동 KCI 등재 SCOPUS

Oxidation Behavior of Ti1-xAlxN Barrier Layer for Memory Devices

언어KOR
URLhttps://db.koreascholar.com/Article/Detail/296069

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한국재료학회지 (Korean Journal of Materials Research)

제12권 제9호 (2002.09)
pp.718-723

한국재료학회 (Materials Research Society Of Korea)

키워드

Ti1-xAlxN thin film barrier layer oxidation sputtering

저자

박상식 | Park, Sang-Shik

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