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SiH2Cl2 와 O3을 이용한 원자층 증착법에 의해 제조된 실리콘 산화막의 특성 KCI 등재 SCOPUS
Characteristics of Silicon Oxide Thin Films Prepared by Atomic Layer Deposition Using Alternating Exposures of SiH2Cl2 and O3
이원준, 이주현, 한창희, 김운중, 이연승, 나사균
- 언어KOR
- URLhttps://db.koreascholar.com/Article/Detail/296273
3,000원
한국재료학회지
(Korean Journal of Materials Research)
제14권 제2호 (2004.02)
pp.90-93
pp.90-93
한국재료학회
(Materials Research Society Of Korea)
키워드
thin filmsdielectricsoxidesX-ray photoelectron spectroscopyXPS
저자
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