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산소 플라즈마를 이용하여 원거리 플라즈마 원자층 증착법으로 형성된 하프늄 옥사이드 게이트 절연막의 특성 연구 KCI 등재 SCOPUS

Characteristics of Hafnium Oxide Gate Dielectrics Deposited by Remote Plasma-enhanced Atomic Layer Deposition using Oxygen Plasma

  • 언어KOR
  • URLhttps://db.koreascholar.com/Article/Detail/296725
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한국재료학회지 (Korean Journal of Materials Research)
한국재료학회 (Materials Research Society Of Korea)
저자
  • 조승찬 | Cho, Seung-Chan
  • 전형탁 | 전형탁
  • 김양도 | 김양도